4.   击穿区域

      在前面图3-3.06的输出特性伏安曲线图上， V_CB不能无限制增大，当V_CB超过某一阈值后，集电极电流I_C会急速增长。就像普通二极管的反向击穿一样，集电结的反偏电压如果太大，也会发生反向击穿。如下图所示：

图 3-3.10 

      在图中我们可以看到，由于在不同的I_E条件下，击穿电压值略有不同，所以我们选取I_E=0（即：发射结开路）条件下的集电结反向击穿电压值作为参数，记作V_(BR)CBO，“O”的意思是指发射结开路（open）。

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