楚，电流IB和电流IC本质上都是由两股不同的电流叠加构成的。
3. BJT的共基、共射、共集组态
在上小节的分析中，我们可以看到：发射结正偏（VBE>0）、集电结反偏（VCB>0），外部的两个偏置电压是共用一个基极端子的，这种电路接法，我们称为共基组态（common-base configuration）。
注意：严格来讲，“共基”的含义是指，当BJT构成一个双端口网络时，由于输入端口（port）需要有两个端子（terminal），输出端口也要有两个端子，但BJT总共只有3个端子，故势必有一个端子要被输入端口和输出端口共用。BJT的哪个极的端子被“输入端口和输出端口”共用，就称为“共什么”组态。但现在我们还没有讲BJT输入输出的概念，故这里先用偏置电压的公共端来帮助理解，以后在详细分析各个组态电路的章节中，会引入正确的概念。
在保持“发射结正偏、集电结反偏”这种偏置时，还可以有别的电路接法：分别是共射组态（common-emitter configuration）和共集组态（common-collector configuration），下面我们仍以npn型晶体管为例，来说明这三种组态的区别。在每种接法中，BJT晶体管的三个端子（发射极、基极、集电极）都可以按实际情况添加电阻（或不接电阻）。如下图所示：
图 3-2.06
● 共基组态：
上图左边电路，偏置电压VEE和VCC在基极出来后共用一个端子，故称为“共基”。偏置情况前面已分析过。
● 共射组态：
上图中间电路，偏置电压VBB和VEE在发射极出来后共用一个端子，故称为“共射”。发射结的偏置电压大小为VBB（正偏），要使集电结反偏，必须要确保偏置电压VEE大于VBB，才能使集电极工作在反偏状态。而且由于集电极电流一般为毫安级，在电阻RC上会产生压降，故一般VEE要比VBB再大一点余量才可以。
● 共集组态：
上图右边电路（注意BJT集电极朝下），偏置电压VBB和VEE在集电极出来后共用一个端子，故称为“共集”。此时，基极电压小于集电极电压（VCB>0），故集电结反偏。要使发射结正偏，必须要确保偏置电压VBB小于VEE，这样才能使发射极电压比基极电压负得更厉害，而使得VBE>0，让发射结正偏。
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