3.   参数β

      参数β一般由共射组态电路来定义，我们将图3-5.02重画于下：

图 3-5.08 

      在上图中，我们定义直流参数β_dc为：电流I_C流与电流I_B的比值。用公式表示即为：

      再定义交流参数β_ac为：当V_CE不变时，“集电极电流微小变化”与“基极电流微小变化”的比值，用公式表示即为：

      交流参数β_ac的正式名称为共射前向放大系数（common-emitter, forward-current, amplification factor）。大多数情况下，直流参数β_dc和交流参数β_ac的大小非常接近，可以相互通用。对于实际器件，一般β的典型值在50~400之间。

      在BJT的数据规格书上，通常用h_fe来表示β_ac参数，至于为什么叫h_fe，这个是根据电路理论的二端口混合参数进行定义的，我们在下一章讲BJT放大电路的交流分析时再讲。

● 参数β和参数α的关系

      一般β参数的定义也可以用于共基组态电路，因此根据前面α和β参数的定义，再加上电流总关系式，可以推导出α和β参数之间的换算公式，我们将三个关系式列于下：

      将这三个式子联立进行计算，消去其中的I_E，I_B，I_C，最后可得：

      另外，还有一个从上式导出的关系式我们也经常用到：

4.   击穿区域

      和共基组态类似，在前面图3-5.04的共射组态输出特性伏安曲线图上， V_CE不能无限制增大，当V_CE超过某一阈值后，集电极电流I_C会急速增长。就像普通二极管的反向击穿一样，集电结的反偏电压如果太大，也会发生反向击穿。如下图所示：

图 3-5.09 

      在图中我们可以看到，击穿电压标记为V_(BR)CEO，也有的教材或规格书中把它标为BV_CEO的，基本都是一个意思。这张图里稍微有点怪异的地方是，当I_B很小时，I_C在击穿区域内有一段是呈负电阻状态，即：I_C增大但同时V_CE减小。这个是由于“厄利效应”产生的，这里我们可以先不管它。在设计电路参数时，只需注意不要让BJT进入击穿区域就可以了。

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